首页   当前位置:全部素材 > 规范图集 > 图标图集

GB/T28274-2012硅基MEMS制造技术版图设计基本规则1范围本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注人、反应离子刻蚀(RE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T26111-2010微机电系统(MEMS)技术术语3术语和定义GB/T261112010界定的以及下列来语和定文适用于本文件,.NE3.1双面光刻double side mask align在基片的一面(A面),制备与该基片另一面(B面)已有光刻图形或痕迹的有一定对准关系的图形的过程。3.2亮版light mask大面积透光的光刻版。3.3暗版dark mask大面积不透光的光刻版。3.4对准标记align mark用于对准不同工序形成的图形的标记。4光刻对准和键合对准方法4.1单面光刻对准方法通过使用光刻机等工具使光刻版上图形与基片上对应的图形对准,其工作过程如图1所示。单面光刻对准是在有图形基片表面涂敷光刻胶,使用光刻设备将光刻版图形与基片上已有图形对准后,再通过曝光和显影将基片上光刻胶处理成与光刻版图形一致,且与基片上已有图形有对准关系的图形。1興尚理素衬网J亿.Z沁
评星:
  • 0
  • 0

作品评论(0)

登录 后参与讨论
相关推荐:
本站所有资源由用户上传,仅供学习和交流之用;未经授权,禁止商用,否则产生的一切后果将由您自己承担!素材版权归原作者所有,如有侵权请立即与我们联系,我们将及时删除
浏览:142 次数:0
下载:免费下载 收藏:0
等级:
编号:200436 1
文件格式:pdf文本
文件大小:897.51KB
投稿:1001 进入
上传时间:2022/8/15 19:51:22
如有侵权请联系删除

您可能在找这些:

网站首页 典尚平台 建筑素材 三维模型 室内装修 视频素材网 上传教程 帮助中心 热门搜索 版权申明 关于我们 联系典尚

Copyright © 2000-2020 www.jzsc.net.粤ICP备07047611号 All Rights Reserved.

客服QQ:609470690 客服电话:0755-83549300 深圳市典尚风设计有限公司

Copyright© 2016典尚平台 JZSC.NET

网站推荐使用腾讯、Chrome浏览器浏览,不推荐360,很卡

粤公网安备 44030302000908号

QQ咨询
推广分享
×
复制本页url网址

推广详情

如您已登录,分享网址将自动加载您的推广编号,您将获得2元/注册用户的奖励。

推广记录  积分记录

网站首页
回顶部