典尚

  • 典尚
  • 百度
  • 360
首页   当前位置：全部素材 > 规范图集 > 国家规范
GBT 15120.2-2012 识别卡 记录技术 第2部分：磁条 低矫顽力PDF文本

01Cs35.240.15阶L64G中华人民共和国国家标准GB/T15120.2-2012代替GB/T15120.2-1994,GB/T15120.4-1994,GB/T15120.5-1994识别卡记录技术第2部分：磁条低矫顽力典e+Recording techaiq-E可Part 2:Magnetic stripe-Low coercivity(ISO/IEC7811-2:2001,MOD)2012-12-31发布2013-06-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布筑321…标准查询下载网典后莲罚素荷网Z.JZ沁
GB/T15120.2-2012目次前言444440004004044401范围2符合性……13规范性引用文件……14术语和定义………15识别卡的物理特性……35.1磁条区域翘曲…35.2表面变形…36磁条的物理特性………46.1磁条区域的高度和表面轮廓6.2表面粗糙度…………”66.3磁条与卡的粘合6.4读/写磁头对磁条的磨损……………66.5耐化学性……67磁性材料的性能特性台…空在女小…i…T…心67.1总则……67.2测试和操作环境67.3对磁介质信号幅度的要求…………78编码技术9编码规范总则…99.记录角……………99.2标称位密度…109.3第1、第2和第3磁道的信号幅度要求109.4位构成……………109.5记录方向……109.6前导零和后导零…1010编码规范……1110.1字母数字磁道一一第1磁道…1110.2数字磁道—第2磁道1310.3数字磁道—第3磁道1511差错检测………1511.1奇偶校验………………1511.2纵向冗余校验(LRC)……1512编码磁道的位置……………16附录A(资料性附录)磁条的读兼容性(GB/T15120.2和GB/T15120.6)17附录B(资料性附录)磁条的研磨性…18筑321-·标准查询下载网興尚理蜀素前网ZS沁.ET
GB/T15120.2-2012前言GB/T15120《识别卡记录技术》分为以下几个部分：第1部分：凸印；第2部分：磁条低矫顽力；第3部分：ID-1型卡上凸印字符的位置；第6部分：磁条高矫顽力。本部分为GB/T15120的第2部分。本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本部分代替GB/T15120.2一1994《识别卡记录技术第2部分：磁条》、GB/T15120.4一1994《识别卡记录技术第4部分：只读磁道的第1磁道和第2磁道的位置》和GB/T15120.5一1994《识别卡记录技术第5部分：读写磁道的第3磁道的位置》。鼓励使用者回顾整个标准的修订和更新。本次修订的主要变化如下：a)在GB/T15120.4一1994和GB/T15120.5-1994中给出的要求已经包含在GB/T15120.2的本版本中；b)将术语“主标准”修改为“源标准”；c)增加了部分术语和定义；)增加了部分要球J,NE本部分修改采用1S0/IEC7811-2:2001《识别卡记录技术第2部分：磁条低矫顽力》。本部分与1S0/IEC7811-2:2001相比，存在如下少量差异：a)删除了国际标准前言；b)删除了文本中大部分的英制单位，对于工业界的习惯用法，某些部分的英制单位仍保留；?)根据目前源标准和二极标准的迁移情况，将源标准定义为“一套由德国物理技术研究院(PTB)立，并且目前在美国Q-Card保存的基准卡，代表RM7811-2指定的UR和IR的数值”；将二级标准中的“注”改为“二级标准目前可以从美国Q-Card订购，地址为：301 Reagan Street,Sunbury,PA17801,USA。二极标准源将至少保存到2012年”，d)根据SO/IEC10373-2的最新版本，删除了1ISO/IEC7811-2:2001的附录B“信号幅度测量”.本部分由全国信息技术标准化技术委员会(SAC/TC28)提出。本部分由中国电子技术标准化研究所归。本部分起草单位：中国电子技术标准化研究所、云南南天电子信息产业股份有限公司、中国乐凯胶片集团公司。本部分主要起草人：冯敬、段霞、金倩、高林、耿力、袁理、王文峰、乔申杰。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：GB/T15120.2-1994;GB/T15120.4-1994;GB/T15120.5-1994.筑321-标准查询下载网铝罚素村网Z.ZS沁
GB/T15120.2-2012识别卡记录技术第2部分：磁条低矫顽力1范围GB/T15120的本部分是描述在第4章中定义的识别卡的特性和国际交换中使用识别卡的系列标准之一。本部分规定了识别卡上低矫顽力磁条（包括任何保护涂层）的特性、编码技术、编码磁道的位置和字符集。根据人、机两者因素规定了最低要求。矫顽力影响到本部分中许多量值的规定，但本身未作规定。把卡暴露于磁场之中很可能使已记录的数据被破坏。本部分适用于提供卡应遵循的准则。在这些标准中没有考虑使用次数，如果需要，则根据以前卡测试的经验。如果卡不符合规定准则，应在涉及到的各方中进行协商。IS0/IEC10373-2规定了检查卡符合本部分规定参数的测试步骤。注：在本部分中用到的公制和/或英制测量体系中的数值可能已经被换算，但相互间并不完全相等。两种制式都被使用，但两者不宜被混杂或被再转换。最初的设计是使用英制测量体系。2符合性符合本部分的前提条件是符合GB/T14916。当识别卡符合此处规定的所有强制性要求时才能声称符合本部分。如果其他方面未作规定，则使用默认值。3规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T3505产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法术语、定义及表面结构参数(GB/T3505-2009,ISO4287:1997,IDT)GB/T14916识别卡物理特性(GB/T14916一2006，IS0/IEC7810:2003,IDT)GB/T17554.1识别卡测试方法第1部分：一般特性测试(GB/T17554.1一2006，IS0/IEC10373-1:1998,MOD)ISO/IECl0373-2识别卡测试方法第2部分：带磁条的卡(Identification cards-一Test meth-ods-Part 2:Cards with magnetic stripes)4术语和定义GB/T14916界定的以及下列术语和定义适用于本文件。4.1源标准primary standard一套由德国物理技术研究院(PTB)立，并且目前在美国Q-Card保存的基准卡，代表RM7811-2筑321-标准查询下载网要尚莲罚素村网沁.ET
GB/T15120.2-2012指定的UR和IR的数值。4.2二级标准secondary standardRM7811-2指定的基准卡，它和源标准的关系在与每张卡一起提供的校准证书中说明。注：二级标准目前可以从美国Q-Card订购，地址为：301 Reagan Street,Sunbury,PA17801,USA。二级标准源将至少保存到2020年.，4.3未编码未使用的卡unused un-encoded card具有预期用途所要求的全部组件，未进行过任何个人化或测试操作，并且被保存在清洁的环境中，在5℃~30℃的温度和10%~90%的湿度条件下并且暴露在日光下的时间不超过48h,也未遭受过热力冲击的卡。4.4已编码未使用的卡unused encoded card根据4.3，为了将来的应用，只是进行了数据编码（例如磁条编码、凸印、电子编码）的卡。4.5返回的卡returned card根据4.4，在它被发放给持卡人后为了测试的目的又被返回的卡。4.6磁通翻转flux transition磁化距离变率歌的壁置筑J.NE可4.7基准电流reference currentIx在给定测试条件下的最小记录电流幅度，它使得基准卡上在密度为每毫米8次磁通翻转的情况下，读出的信号幅度为基准信号幅度U.的80%，见图6。4.8基准磁通水平'reference flux levelFR与基准电流IR相对应的测试磁头内的磁通水平。4.9测试记录电流test recording currents两个记录电流定义如下：Im=对应于3.5倍FR的记录电流；I=对应于5.0倍F.的记录电流。4.10单个信号幅度individual signal amplitudeU.单个读出电压信号的基峰值幅度。4.11平均信号幅度average signal amplitudeUA2筑321--标准查询下载网興尚莲罚素村网Z.JZ沁.ET
GB/T15120.2-2012一个磁道上，覆盖整个磁条区域的每个信号峰值(U)的绝对值相加后的总和，再除以信号峰值的总个数后得到的数值。4.12基准信号幅度reference signal amplitudeUR基准卡校正到源标准后得到的平均信号幅度的最大值。4.13物理记录密度physical recording density记录在一个磁道上的每单位长度内的磁通翻转数量。4.14位密度bit density单位长度内存储的数据位的数量（单位为bits/mm或bpi)。4.15位单元bit cell两个时钟磁通翻转间的距离，见图10。4.16子间距subinterval两个时钟磁通翻转间的距离的一半，见图10。5识别卡的物理特J.NE识别卡应符合GB/T14916中给出的规定.警告：发卡者应注意保存在磁条上的信息可能会因为与不洁物质或化学物品接触后受污染而失效。还应注意任何放置在磁条表面的印刷或遮盖物不得使磁条功能有所减弱。5.1磁条区域翘曲在与磁条相对的卡的正面均匀施加2.2N的力，引起的整个磁条在刚性平面上的偏离应不超过0.08mm.5.2表面变形卡上如图1所示区域内的正、反两面均不得有变形、不规则和突起的部分，否则会影响磁头和磁条的接触。3筑321--标准查询下载网莲罚素村网Z沁.ET
GB/T15120.2-2012单位为毫米上基准边缘K无变形区域图1磁条卡的无变形区域如果突起的签名条位于卡的正面或反面，它距离上基准边缘的距离不得小于19.05mm。注：卡上其他区域的突起和变形可能会影响卡在磁条处理设备上的传送，从而导致读写失败。6磁条的物理特性J.NE可6.1磁条区域的高度和表面轮廓磁条区域位于如图2所示的卡背面。单位为毫米上基准边缘最小磁条宽度/W磁条区域2.92最大82.55最小使用第1和第2磁道：a=11.89最小使用第1、第2和第3磁道：a=15.95最小注：对于使用第1、第2磁道的磁条区域，如图2所示的磁介质α的尺寸可小于图11所示的卡上第2磁道位置b的最大值。磁条区域超出编码磁道的边界是合理的。图2ID1型卡上磁性材料的位置4筑321标准查询下较网興尚罚素衬网Z.ZC.ET
GB/T15120.2-20126.1.1磁条区域的表面轮廓磁条区域截面轮廓的最大垂直偏差（α）如图3、图4、图5所示。表面轮廓曲线的斜率应限定为：一4a/W<斜率<4a/W当卡的弯曲硬度值（见GB/T14916)大于或等于20mm时，表面轮廓的限制为：最小磁条宽度如图3a)所示的情况如图3b)所示的情况W=6.35mma≤9.5μma≤5.8μmW=10.28mma≤15.4μma≤9.3μm当卡的弯曲硬度值（见GB/T14916)小于20mm时，表面轮廓的限制为：最小磁条宽度如图3a)所示的情况如图3b)所示的情况W=6.35mma≤7.3μma≤4.5μmW=10.28mma≤11.7μma≤7.3μma)图3表面轮廓下沉徒蟑允许不允许不允许图4表面轮廓示例不规则的轮廓可能导致低质量的编号图5不规则的表面轮廓示例筑321-标准查询下载网典治莲罚素荷网JZ沁
GB/T15120.2-20126.1.2磁条区域的高度磁条区域相对于相邻卡表面的垂直偏差(h)应为：-0.005mm≤h≤0.038mm在烫印时由“溢出”材料导致的表面轮廓中的尖峰不是磁条的一部分，但它仍不应超出上面所定义的磁条区域高度(h)。6.2表面粗糙度磁条区域内的平均表面粗糙度(Ra)在纵向和横向都应不超过0.40μm。参考GB/T3505.6.3磁条与卡的粘合在正常使用的情况下，磁条不应与卡分离。6.4读/写磁头对磁条的磨损在经历2000次磁头磨损的前后，测量出的平均信号幅度(U)和单个信号幅度(U,)应满足如下条件：UA扇损后≥0.60UA路损前和U蹄损后≥0.80UA清银后6.5耐化学性曲当津育麦.7,70短时间曝露于在GB/T17554.1中定义的化学条件环境的前后，测量出的平均信号幅度(Ua)和单个信号幅度(U)应满足如下条件：UA幕后≥0.90UA得R前和U诗露后≥0.90UA露后长时间(24h)曝露于在GB/T17554.1中定义的模拟人体排汗酸碱度环境的前后，测量出的平均信号幅度(U)和单个信号幅度(U)应满足如下条件：UA霉后≥0.90UA前和Ui得屏后≥0.90UA等每后7磁性材料的性能特性本章的主要目的是使卡和处理系统间具有磁的可交换性，不规定磁介质的矫顽力。7.3中规定的磁介质的性能标准不考虑矫顽力大小。7.1总则本方法采用的磁性材料的性能特性源于源标准的基准卡（见第4章）。所有使用二级基准卡得到的信号幅度结果必须使用随卡提供的因子进行校正。7.2测试和操作环境信号幅度测量的测试环境温度为23℃土3℃，相对湿度为40%~60%。在其他相同条件下测试时，卡在如下操作环境范围内曝露5min后，从密度为8ft/mm(200ftpi)的磁条上测量到的平均信号幅度不能偏离在上述测试环境下其值的15%以上：温度为-35℃~50℃；相对湿度为5%~95%。6筑321.-标准查询下载网興尚罚素衬网Z.ZC.ET
GB/T15120.2-20127.3对磁介质信号幅度的要求对卡上记录特性的要求见表1、图6和图7。表1对未编码未使用的卡的信号幅度要求描述密度测试记录信号幅度要求ft/mm(ftpi)电流结果信号幅度8(200)IminUAI0.8UR≤U1≤1.3UR信号幅度8(200)IninUaUa≤1.36UR信号幅度8(200)InuUN:UAu≥Ua≥0.8UR信号幅度20(500)InaUeU.≥0.65UR分辨率20(500)IuUA3UN≥0.7Ua擦除0In,直流UMU≤0.03UR额外脉冲0In,直流UxUa≤0.05UR位于I和I之间的饱和曲线的斜率永远不得为正值。注：不允许把上面的要求进行算术联合。J.NE130120读出电压(%U)1008060一一一一示例曲线校正到主标准的基准卡曲线记录电流图6密度为8ft/mm(200ftpi)的容差范围的饱和曲线示例注：此曲线定义了（在卡上的）源标准响应。衡参数被用于定义可在机器读取环境中使用的卡。上面描述的校正后的基准曲线可以不满足第？章中定义的规范。7筑321-.一标准查询下载网興尚罚素村网ZS沁.ET
评星:

  • 顶

    0

  • 踩

    0

作品评论(0)

登录 后参与讨论
相关推荐：
本站所有资源由用户上传，仅供学习和交流之用；未经授权，禁止商用，否则产生的一切后果将由您自己承担！素材版权归原作者所有，如有侵权请立即与我们联系,我们将及时删除
收藏 免注册直接免费下载
下载地址二：下载
下载出错?
浏览：214 次数：0
下载：免费下载 收藏：0
等级：
编号：209910 1
文件格式：pdf文本
文件大小：5.23MB
投稿：1001 进入
上传时间：2022/8/26 8:21:26
如有侵权请联系删除

您可能在找这些：

GBT 15065-2009 电线电缆用黑色聚乙烯塑料GBT 15022.5-2011 电气绝缘用树脂基活性复合物 第5部分：石英填料环氧树脂复合物GBT 15022.3-2011 电气绝缘用树脂基活性复合物 第3部分：无填料环氧树脂复合物GBT 14860.1-2012 电子和通信设备用变压器和电感器 第1部分：通用规范GB-T 14824-2008 高压交流发电机断路器GBT 14808-2001 交流高压接触器和基于接触器的电动机起动器GB-T 14689-2008 技术制图 图纸幅面和格式GBT 14598.303-2011 数字式电动机综合保护装置通用技术条件GBT 14598.302-2016 弧光保护装置技术要求GBT 14598.151-2012 量度继电器和保护装置 第151部分：过欠电流保护功能要求GBT 14598.149-2016 量度继电器和保护装置 第149部分：电热继电器功能要求GBT 14598.127-2013 量度继电器和保护装置 第127部分 过-欠电压保护功能要求GBT 14598.8-2008 电气继电器 第20部分：保护系统GBT 14598.3-2006 电气继电器 第5部分：量度继电器和保护装置的绝缘配合要求和试验GBT 14598.2-2011 量度继电器和保护装置 第1部分：通用要求GBT 14597-2010 电工产品不同海拔的气候环境条件
SYT4115-2008 油气输送管道工程建设施工组织设计编制规则 SYT 7021-2014 石油天然气地面建设工程供暖通风与空气调节设计规范 SYT 6319-2008 防止静电、闪电和杂散电流引燃的措施 SYT 6306-2008 常压储罐的灭火处理 SYT 6306-1997 易燃、可燃液体常压储罐的内外灭火 SYT 6229-2007 初期灭火及救援训练规程 SYT 5805-2010 输配电线路安装工程劳动定额 SYT 5066.2-2012 地层测试用地面控制装置 SYT 0448-2008 油气田油气处理用钢制容器施工技术规范 SY／T 5483-2017 常规地层测试技术规程 SY 4201.4-2016 石油天然气建设工程施工质量验收规范 设备安装工程 第4部分：炉类 SY 4201.1-2016 石油天然气建设工程施工质量验收规范 设备安装工程 第1部分：机泵类 STT-10钢梯及栏杆图集 STT-10 作业台钢梯及栏杆图集 SNT 1491-2004 进境牛羊临时隔离场建设的要求 SN∕T 4699-2016 集中查验场站管理规范 SN∕T 4687-2016 电玩具的电磁兼容测试方法 SN∕T 4272-2015 国际卫生机场长效管理体系建设规范 SL645-2013水利水电工程围堰设计规范 SL501-2010土石坝沥青混凝土面板和心墙设计规范

网站首页 典尚平台 建筑素材 三维模型 室内装修 视频素材网 上传教程 帮助中心 热门搜索 版权申明 关于我们 联系典尚

Copyright © 2000-2020 www.jzsc.net.粤ICP备07047611号 All Rights Reserved.

客服QQ:609470690 客服电话:0755-83549300 深圳市典尚风设计有限公司

Copyright© 2016典尚平台 JZSC.NET

网站推荐使用腾讯、Chrome浏览器浏览，不推荐360,很卡

粤公网安备 44030302000908号

◆
QQ咨询
◆
推广分享
×
复制本页url网址

推广详情

如您已登录，分享网址将自动加载您的推广编号，您将获得2元/注册用户的奖励。

推广记录  积分记录

◆
网站首页
◆
回顶部