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GBT 4597-2012 电子管词汇PDF文本

ICS31.100L35中华人民共和国国家标准GB/T4597-2012代替GB/T4597-1996电子管词汇Vocabulary of electronic tubeso.g.MO6S2012-11-05发布2013-02-15实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布蜀素村网Z.ZS心
GB/T4597-2012目次前言……………………………0……00004404000044044400…44t44t1范围2基本术语…12.1电子管的一般分类………12.2发射和空间电荷……………………22.3气体中的放电…2.4电子束/注聚焦和偏转…………62.5电子管噪声……82.6电压、电流和功率………122.7电压、电流和功率以外的一般性能和参数172.8特性和工作条件…212.9脉冲特性……253结构……………283.1电极（一般的）、元件和发射极…283.2控制极和畈集.师索网心忆…心ZS…E平303.3结构（管壳、电子枪和附件）…354电子管类型………394.1空间电荷控制管和二极管………………394.2空间电荷波管和空间电荷控制微波管…424.3阴极射线管和存储管…464.4光敏管……………………………………………………………………………………494.5充气管…524.6X射线管……525性能和参数…………………585.1空间电荷波管和空间电荷控制微波管…585.2阴极射线管…404004400tt:685.3存储管…755.4光敏管…………815.5摄像管……………865.6辐射计数管以外的充气管905.7辐射计数管1015.8X射线管………………………………104筑321标准查询下载网蜀素衬网Z.Z心
GB/T4597-2012前言本标准按GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准代替GB/T4597-1996《电子管词汇》。本标准与GB/T4597一1996相比主要变化如下：一删除原标准中2.1.27、2.1.28和3.7“等离子体显示器件”的内容，并删除原标准中4.6.117~4.6.133的名称和内容。删除原公式(1)。增加术语“多注行波管”（见4.2.39）、“冷阴极磁控管”（见4.2.41）、“尖峰漏过功率”（见5.6.43）。部分术语名称和定义内容的修改。格式变化。原第1章、第2章、第3章、第4章分别对应本标准的第2章、第3章、第4章、第5章。本标准采用重新起草法修改采用IEC IEV50531:1974《国际电工辞典第531部分：电子管》。本标准在相同术语的定义末尾或标题后给出了IEC IEV50531:1974中的相应编号。本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。本标准由全国电真空器件标准化技术委员会(SAC/TC167)归。本标准起草单位：中国电子技术标准化研究所本标准主要起款张期陈兰筑本标准所代替标准的历次版本发布情况：-GB/T4597-1984、GB/T4597-1996。筑321-·-标准在询下载网蜀素衬网Z.Z心
GB/T4597-2012电子管词汇1范围本标准规定了电子管基本术语和定义、与电子管结构相关的术语和定义、与电子管类别相关的术语和定义、与电子管参数特性相关的术语和定义。2基本术语2.1电子管的一般分类[IEC IEV50531:1974,定义531-11]2.1.1电子器件electronic device主要由电子在真空、气体或半导体中的运动来实现电传导的一种器件。[IEC1EV50531:1974,定义531-11-01]2.1.2·电子管electronic tube争s白去，十可7在气密管壳内存在手真空或气体介质中的电子或离子来实现电极间电传导的一种电子器件。但只作照明用的器件除外。[IEC1EV50531:1974,定义531-11-02]2.1.3真空管vacuum tube管内真空度达到使其电特性基本上不受任何残余气体或蒸气的电离影响的一种电子管。[1 EC IEV50531:1974,定义531-11-03]2.1.4电子束管electron-beam tube性能取决于一个或多个电子束的形成和控制的一种电子管。[IEC IEV50531:1974,定义531-11-04]2.1.5充气管gas-filled tube离子管ion tube电特性基本上由人为引入的气体的电离作用来决定的一种电子管。[IEC IEV50531:1974,定义531-11-05]2.1.6微波管microwave tube工作在微波波段的一种电子管。2.1.7X射线管X-ray tube由阴极产生的电子经电场加速轰击阳极靶而产生X射线辐射的高真空器件。如旋转阳极X射线管、双焦点X射线管。筑321·~标准查询下载网1蜀素衬闯Z.Z心
GB/T4597-20122.2发射和空间电荷[IEC IEV50531:1974,定义531-12]2.2.1电子发射electron emission电子从材料表面逸出到空间的过程。[1 EC IEV50531:1974,定义531-12-01]2.2.2逸出功（电极材料的）work function(of electrode material).将某一电极材料中处于费米能级的电子移到材料外无穷远处所需的能量。[IEC IEV50531:1974,定义531-12-02]2.2.3接触电势差contact potential difference接触电位差两种材料相接触时，在两端形成的电势/位差，其值为两种材料逸出功之差除以电子电荷量所得的商。[IEC IEV50531:1974,定义531-12-03]2.2.4热电子发射thermionic emission因电极温度增而引起的电发J.NE[IEC1EV50531:1974,定义531-12-04]2.2.5光电[子]发射photoelectric emission由入射的光辐射引起的电子发射。[1 EC IEV50531:1974,定义531-12-05]2.2.6场致发射field emission仅由电场所引起的电子发射。[IEC IEV50531:1974,定义531-12-06]2.2.7一次[原]电子发射primary-electron emission由热、光电或电场直接引起的电子发射。[IEC1EV50531:1974,定义531-12-07]2.2.8二次电子发射secondary--electron emission由电子或离子轰击电极材料表面而引起的电子发射。[1 EC IEV50531:1974,定义531-12-08]2.2.9二次电子发射电流secondary--electron emission current由二次电子发射和入射原电子的反射所形成的电流。[IE℃1EV50531:1974,定义531-12-09]2筑321-标准查询下载网蜀素衬闯Z.Z心
GB/T4597-20122.2.10二次电子发射系数secondary--electron emission factor二次电子发射电流与入射一次电子电流/原电子电流的比值。[IEC IEV50531:1974,定义531-12-10]2.2.11热电子发射效率thermionic~emission efficiency饱和热电子发射电流除以阴极加热功率所得的商。[IEC IEV50531:1974,定义531-12-11]2.2.12肖特基效应Schottky effect由阴极表面存在的加速电场引起的热电子或光电子发射相对于无电场时发射量增加的现象。[1 EC IEV50531:1974,定义531-12-12]2.2.13阴极中间层cathode interface layer在氧化物阴极的基金属和涂层之间的一种不良导电层。[IEC IEV50531:1974,定义531-12-13]2.2.14空间电荷space charge由电子或离子在管内空间形成的电荷。[1 EC IEV5o53典974，定义532再J.NE2.2.15空间电荷限制状态space-charge limited state由于空间电荷在阴极前面形成的最低负电势/电位使热电子发射电流与阴极温度基本无关的一种工作状态。[IEC IEV50531:1974,定义531-12-15]2.2.16饱和状态saturation state温度限制状态temperature limited state在给定温度下，电子发射电流仅受阴极发射能力限制的一种工作状态。[IEC IEV50531:1974,定义531-12-16]2.2.17漂移空间drift space未加射频场但电子注/电子束可产生相对再分布的区域。[IEC1EV50531:1974,定义531-12-17]2.2.18互作用区interaction region射频场和电子注/电子束的空间电荷波之间产生相互作用的区域。[1 EC IEV50531:1974,定义531-12-18]2.2.19互作用间隙interaction gap其尺寸比所考虑的波长要小的互作用区。3筑321..-标准查询下载网蜀素衬闯Z.Z心
GB/T4597-2012[IEC IEV50531:1974,定义531-12-19]2.2.20发射电流emission current电子发射形成的电流。2.2.21二极管中的反向发射reverse emission in a diode阳极的电子发射。2.2.22小岛效应island effect由于阴极表面产生了极不均匀的电场，致使阴极表面的某些区域电子发射很难截止，形成了所谓“发射小岛”的一种现象。2.2.23脉冲发射pulse emission在规定的脉冲工作的条件下，来自阴极的电子发射。2.2.24峰值发射peak emission在规定的峰值电压条件下，来自阴极的电子发射。2.2.25至装器春转网可2.3气体中的放电[IEC IEV50531:1974,定义531-13]2.3.1电离ionizing event气体分子受到外界能量的作用分解成离子和电子的现象。[IEC1EV50531:1974,定义531-13-01]2.3.2雪崩avalanche由于一个带电粒子与气体分子碰撞而产生大量带电粒子的一种积累过程。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-02]2.3.3气体放电gas discharge在电场作用下使气体电离而形成电流的物理现象。[IEC1EV50531:1974,定义531-13-03]2.3.4辉光放电glow discharge在冷阴极充气管中主要由正离子或光子轰击阴极而释放电子的一种气体放电现象，其特征是出现管内气体所特有的辉光。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-04]4筑321标准查询下载网蜀素衬闯Z.Z心.ET
GB/T4597-20122.3.5弧光放电arc discharge与辉光放电比较，阴极势降/位降较小的一种气体放电。注：从阴极释放的电子主要是由热电子发射或场致发射两者单独或同时作用形成的。由离子轰击而释放的电子发射只起一小部分作用。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-05]2.3.6电晕放电corona discharge在导体附近产生微弱发光的一种气体放电现象，放电时不使导体过度发热，而发光仅限于导体周围场强超过给定值的区域。注：电晕稳压管中，电晕通常发生在高电压、低电流（微安数量级）的区域中，这个区域是浸没在压强高于几百帕斯卡的气体中两个不加热电极之间的。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-06]2.3.7间隙gap两个电极之间的导电区域。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-07]2.3.8主间隙main gap酒使电船麦箭泰J.NE2.3.9启动间隙starter gap触发间隙trigger gap一种间隙，其导通电流能引起主间隙放电。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-09]2.3.10气体倍增gas multiplication气体中由初始电离辐射产生的离子在强电场作用下再产生更多离子的过程。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-10]2.3.11击穿（在气体中）breakdown(in a gas)间隙电阻从几乎是无穷大值变到较低值的突然转变，其结果是形成放电。[EC1EV50531:1974,定义531-13-11]2.3.12自持放电self-maintained discharge去掉外部电离源后仍能维持的放电。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-12a]2.3.13非自持放电non-self-maintained discharge去掉外部电离源后就停止的放电。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-13]5筑321·-标准查询下载网蜀素衬闯Z.Z心
GB/T4597-20122.3.14等离子体plasma电子和离子密度接近相等的电离气体媒质。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-14]2.3.15引燃的统计延迟statistical delay of ignition从加上使放电开始的规定电压起到引燃开始为止的延迟时间的统计平均值。[1 EC IEV50531:1974,定义531-13-15]2.3.16逆弧arc-back与正常通电方向相反的击穿。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-16]2.3.17弧穿arc-through在预定的非导通期间，导致正向导通的失控状态。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-17]2.3.18不着火misfire在规定的条件下，主阳极和阴极之间立不起放电。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-18]2.3.19J.NEI着火firing在一定的条件下，主阳极和阴极之间立起放电，间隙电阻从接近无穷大值突然转变到较低值的现象。注：微波气体放电管不适用。2.3.20引燃（在气体中）ignition(in a gas)施加规定的条件，使得间隙电阻从几乎是无穷大值变到较低值的突然转变，从而导致希望的放电。[IEC IEV50531:1974,定义531-13-12]2.4电子束/注聚焦和偏转IEC IEV50531:1974,定义531-14]2.4.1准直collimation使电子束/注在一规定的截面内形成并维持沿规定路径运动的过程。[1EC1EV50531:1974,定义531-14-01]2.4.2聚焦focusing控制电子束/注使其收敛以便在给定点上获得最小或最佳截面的过程。[1 EC IEV50531:1974,定义531-14-02]2.4.3交叉点crossover point电子束的第一个会聚点。6筑321标准查询下载网蜀素衬闯Z.Z心
GB/T4597-2012[IEC IEV50531:1974,定义531-14-03]2.4.4电子束/注压缩系数beam compression factor电子束/注压缩比在指定截面内电子束/注的平均电流密度对参考截面（通常为阴极表面）的电子束/注平均电流密度的比值。[IEC IEV50531:1974,定义531-14-04]2.4.5电子束发散角beam-divergence angle由交叉点发出的锥形电子束的立体角。[IEC IEV50531:1974,定义531-14-05]2.4.6静电聚焦electrostatic focusing用静电场使电子束/注聚焦。[IEC IEV50531:1974,定义531-14-06]2.4.7磁聚焦magnetic focusing用磁场使电子束/注聚焦。[IEC IEV50531:1974,定义531-14-07]2.4.偏转deeJ.NE用电场和/或磁场使电子束/注改变方向。[IEC IEV50531:1974,定义531-14-08]2.4.9静电偏转electrostatic deflection由静电场引起的偏转。[IEC1EV50531:1974,定义531-14-09]2.4.10磁偏转magnetic deflection由磁场引起的偏转。[IEC IEV50531:1974,定义531-14-10]2.4.11偏转电压deflection voltage加在一对偏转电极间的电压。[IEC IEV50531:1974,定义531-14-11]2.4.12偏转电流deflection current偏转线圈中的电流。[IEC IEV50531:1974,定义531-14-12]2.4.13对称偏转symmetrical deflection加上偏转电压时，两个偏转电极的电压平均值保持不变的一种偏转方式。[1 EC IEV50531:1974,定义531-14-13]7筑321·标准查询下载网蜀素衬闯Z.Z心
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