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GB/T28274-2012硅基MEMS制造技术版图设计基本规则1范围本标准规定了微结构加工时,光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则。本标准适用于采用接触式单/双面光刻、氧化扩散、化学气相淀积(CVD)、物理气相淀积(PVD)、离子注人、反应离子刻蚀(RE)、氢氧化钾(KOH)腐蚀、硅-玻璃对准静电结合、砂轮划片等基本工艺方法。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T26111-2010微机电系统(MEMS)技术术语3术语和定义GB/T261112010界定的以及下列来语和定文适用于本文件,.NE3.1双面光刻double side mask align在基片的一面(A面),制备与该基片另一面(B面)已有光刻图形或痕迹的有一定对准关系的图形的过程。3.2亮版light mask大面积透光的光刻版。3.3暗版dark mask大面积不透光的光刻版。3.4对准标记align mark用于对准不同工序形成的图形的标记。4光刻对准和键合对准方法4.1单面光刻对准方法通过使用光刻机等工具使光刻版上图形与基片上对应的图形对准,其工作过程如图1所示。单面光刻对准是在有图形基片表面涂敷光刻胶,使用光刻设备将光刻版图形与基片上已有图形对准后,再通过曝光和显影将基片上光刻胶处理成与光刻版图形一致,且与基片上已有图形有对准关系的图形。1興尚理素衬网J亿.Z沁
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