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GB／T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范PDF文本

ICS31.260L53中华人民共和国国家标准GB/T36356-2018功率半导体发光二极管芯片技术规范Technical specification for power light-emitting diode chips2018-06-07发布2019-01-01实施国家市场监督管理总局中国国家标准化管理委员会发布理到素前阀Z.ZC.ET
GB/T36356-2018目次前言1范围…2规范性引用文件3要求…4检验方法…5检验规则…56包装、运输和储存………9附录A(规范性附录)功率半导体发光二极管芯片的日检…11附录B(规范性附录)人体模式和机器模式的静电放电敏感度分级及标志…14U理到素前阀Z.ZC.ET
GB/T36356-2018前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由中国人民共和国工业和信息化部（电子）归。本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、国家半导体器件质量监督检验中心、中国电子技术标准化研究院、厦门市三安光电科技有限公司。本标准主要起草人：张瑞霞、赵敏、黄杰、赵英、刘秀娟、蔡伟智、彭浩、刘东月、张晨朝。J.NE筑素衬网Z..ET
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GB/T36356-2018功率半导体发光二极管芯片技术规范1范围本标准规定了功率半导体发光二极管芯片产品（以下简称芯片）的技术要求、检验方法、检验规则、包装、运输和储存等。本标准适用于功率半导体发光二极管芯片。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2423.4一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Db:交变湿热(12h十12h循环)GB/T2423.15一2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ga和导则：稳态加速度GB/T2423.22一2012环境试验第2部分：试验方法试验N:温度变化QT票微青体件成欧牙2格费东E丁SJ/T11394一2009半导体发光二极管测试方法SJ/T11399一2009半导体发光二极管芯片测试方法IEC60749(所有部分)半导体器件机械和气候试验方法(Semiconductor devices-一Mechanicaland climatic test methods)IEC60749-19:2010半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度(Semiconductor devices--Mechanical and climatic test methods-Part 19:Die shear strength)IEC60749-22:2002半导体器件机械和气候试验方法第22部分：键合强度(Semiconductordevices-Mechanical and climatic test methods-Part 22:Bond strength)3要求3.1通则3.1.1优先顺序芯片应符合本标准和相关详细规范的要求。本标准的要求与相关详细规范不一致时，应以相关详细规范为准。3.1.2对详细规范的引用本标准中使用“按规定”一词而未指明引用的文件时，即指引用相关详细规范。1罚素衬网Z.ZS沁.NEI
GB/T36356-20183.2材料和结构3.2.1材料应采用能使芯片符合本标准性能要求的半导体材料，且所用材料在规定的试验条件下，应无刮伤、划痕、翘曲等影响芯片贮存、工作和环境适应能力的缺陷。3.2.2外形尺寸芯片的外形尺寸应符合相关详细规范的规定。3.2.3键合区键合区的大小、位置、顺序和电气功能应符合相关详细规范的规定。3.3外观质量芯片的外观质量应符合附录A的规定。3.4绝对最大额定值和特性3.4.1绝对最大额定值绝对最大额定值要求见表1。表1绝对最大额定值曲当170数值章条号参数符号单位最小最大3.4.1.1贮存温度Tat×℃3.4.1.2工作环境温度Tonk+℃3.4.1.3结温T+℃3.4.1.4焊接温度Ta+℃(规定最长焊接时间)×3.4.1.5反向电压VR×3.4.1.6环境温度为25℃下的直流正向电流IymA3.4.1.7环境温度为25℃下的峰值正向电流IA(规定的脉冲条件下)（适用时）3.4.1.8静电敏感电压（适用时）VEsD注：×表示应规定的具体值。3.4.2光电特性芯片的光电特性应符合表2和相关详细规范的规定。2理甄Z.ZC.ET
GB/T36356-2018表2光电特性条件要求章条号特性符号除非另有规定单位Tm=25℃最小最大3.4.2.1正向电压VrI:按规定V3.4.2.2反向电流IxV按规定×uA3.4.2.3光功率I。按规定W或光通量DyI,按规定Im3.4.2.4主波长AaIr按规定×nm或峰值发射波长1,按规定nm注：×表示应规定的具体值3.5环境适应性3.5.1键合强度芯片键合后进行键合拉力试验，键合拉力符合IEC60749-22:2002的规定。3.5.2剪切力将芯片粘接或共晶焊在支架上，进行剪切力试验剪切力绮合1EC6074919:2010的规定。3.5.3温度精环Z,将芯片进行封装，按最低和最高贮存温度进行温度循环试验，循环次数按规定。试验后，性能参数符合表6的规定。3.5.4循环湿热将芯片进行封装，进行循环湿热试验，试验后，性能参数符合表6的规定。3.5.5恒定加速度（仅适用于空腔封装器件）将芯片进行封装，进行恒定加速度试验，试验后，性能参数符合表6的规定。3.6电耐久性将芯片进行封装，按GB/T4589.1一2006的3.10.2的规定，加电工作168h后，电性能符合表5的规定：加电工作1000h后，电性能符合表6的规定。3.7静电放电敏感度（适用时）按照S/T11394一2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度和/或机器模式静电放电敏感度试验，分级标准见附录B。3理甄Z.ZC.ET
GB/T36356-20184检验方法4.1测试条件4.1.1标准大气条件本标准中规定的试验应在GB/T4937.1一2006中规定的标准大气条件下进行。4.1.2加电工作条件加电工作条件按规定。4.1.3试验条件和方法如无特殊规定，应按照IEC60749规定的条件和方法进行试验，如经试验证明由替代的方法进行检验合格的产品用规定的方法检验也合格，则也可以用替代方法检验。进行探针测试时，应按S/T11399一2009中4.1的规定。4.2结构4.2.1外形尺寸按附录A规定的方法进行检验，使用准确度符合要求的量具测量芯片的尺寸，应符合3.2.2的规定。4.2.2键合区按附录A规定的方法进行检验，应符合3.2.3的规定。4.3外观质量按附录A规定的方法进行检验，应符合附录A中的规定。4.4光电特性4.4.1正向电压按照S/T11394一2009中规定的方法测量正向电压，应符合3.4.2.1的规定。4.4.2反向电流按照SJ/T11394一2009中规定的方法测量反向电流，应符合3.4.2.2的规定。4.4.3光功率或光通量按照SJ/T11399一2009中规定的方法测量光功率或光通量，应符合3.4.2.3的规定。4.4.4主波长或峰值发射波长按照SJ/T11394一2009中规定的方法测量主波长或峰值发射波长，应符合3.4.2.4的规定。理甄Z..ET
GB/T36356-20184.5环境适应性4.5.1键合强度键合强度试验按IEC60749-22:2002的规定进行.应符合3.5.1的规定。4.5.2剪切力剪切力试验按IEC60749-19:2010的规定进行，应符合3.5.2的规定.4.5.3温度循环温度循环试验按GB/T2423.22一2012的规定进行，试验后符合3.5.3的规定。4.5.4循环湿热循环湿热试验按GB/T2423.4一2008的规定进行，试验后符合3.5.4的规定。4.5.5恒定加速度（仅适用于空腔封装器件）》恒定加速度试验按GB/T2423.15一2008的规定进行.试验后符合3.5.5的规定。4.6电耐久性施加规定的工作电压，到规定的时间后，去掉工作电压，试验后符合36的规定。7静电放电敏舞度当乙SC按照S/T11394一2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度和/或机器模式静电放电敏感度分级试验，试验后性能参数符合详细规范的规定。5检验规则5.1检验职责由鉴定机构批准的试验室或承制方的检验、试验部门负责执行本标准规定的全部检验。5.2检验分类本标准规定的检验分为：a)筛选（见5.6）：b)鉴定检验（见5.7）：c)质量一致性检验（见5.8）。5.3批的组成5.3.1晶圆批从晶圆加工开始，经受同一组工艺过程的晶圆购成一个晶圆批。每个晶圆批应给定一个能追溯到所有晶圆加工步骤的识别代码。5.3.2检验批一个检验批由同时提交检验的一个或多个品圆批中同一型号的芯片组成。5筑素衬网Z.ZC.NE可
GB/T36356-20185.4抽样鉴定检验和质量一致性检验的抽样应按本标准和相关详细规范的规定进行。5.5重新提交当提交鉴定检验不符合要求时，应重新进行鉴定检验。当质量一致性检验的任一检验批不符合要求时，应进行失效分析并确定失效机理。如确认该失效是可以通过对整批晶圆的芯片重新筛选而有效剔除的缺陷：或者该失效并不反映产品具有基本设计或基本生产工艺问题的缺陷，则允许对该分组采用加严检验（按双倍样品量及合格判定数为零的方案）重新提交一次。重新提交的批不得与其他的批相混。如果失效分析表明失效是由于基本工艺程序不良、基本设计缺陷或是无法通过筛选剔除的缺陷，则该批不得重新提交。5.6筛选在提交鉴定检验和质量一致性检验前，检验批的全部芯片应按表3的规定进行筛选，筛选可在晶圆上进行，对不符合要求的芯片进行标识，并在芯片分离时剔除。剔除的芯片不能作为合格产品交货。表3筛选方法章条号序号检验或试验条件抽样方案S/T11399-2009目检放大20倍~40倍附录A筑J正向电压V:.21,按规定反向电流I:5.4Vk按规定100%光功率中6.3I,按规定或光通量中、6.2I:按规定主波长入。8.3I,按规定或峰值发射波长入。6.4I,按规定5.7鉴定检验鉴定检验应在鉴定机构批准的试验室按表4、表5和表6规定的检验项目和要求进行。5.8质量一致性检验5.8.1通则每一检验批的芯片在交付前应按本标准的规定进行质量一致性检验。质量一致性检验包括A组检验、B组检验和C组检验，A组检验和B组检验为逐批检验，C组检验为周期检验。在C组检验合格的周期内，A组检验和B组检验合格的批可以交付，在C组检验不合格的情况下应停止交付，待按5.5规定对C组重新检验合格后方可恢复交付。5.8.2A组检验从筛选合格的检验批中随机抽取芯片，按表4的规定进行A组检验。各分组的测试可按任意顺序进行。筑素衬网Z..ET
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