GB/T13389-2014GB/T13389-2014参考文献前言[1]Thurber.W.R.,Mattis,R.L..Liu.Y.M..and Filliben,J.J.."Resistivity-Dopant DensityRelationship for Phosphorus-Doped Salicom."J.Elcetrochem.Soc.127.(1980):pp.1807-1812[23 Thurber,W.R.,Mattis,R.L..Liu.Y.M..and Filliben.J.J.."Resistivity-Dopant Density本标泰按赋GB/T1.1一2009给出的煤离君草。Relationship for Boron-Doped Silicon."J.Electrochem,Soc.127.(1)pp.2291-2294木标盔代整GB/T133891992(楼帽塘稀硅单昌电阻率与推杂剂浓度换算妮程》，参阻SE日[33 Thurber,W.R..Mattis.R.L..Liu.Y.M..and Fillibea,J.J..Semiconductor MeasurementMF728-0307(推藏橡诗物绅硅单高电阻常与推杂剂浓度换年规程》对GB/T13389一1992进行修订，Techrology,"Relationship Between Resistivity and Dopant Density for Phosphorus and Boron-Doped本绿布与(H/T13389一192相比，主爱有以下变化：Silicon."NBS Special Pebleation 400-64 (Apri!1581)一增加了公式(5)，(6)，()，即醉的捧奈彩浓度教算电黑水，拉绿柱单品电用水换算空究浓度和[47 Esaki.1...and Miyahara.Y.."A New Device Using the Tunncling Process in Narrow pn修磷硅单基电阳率换算电子浓度的公武以及相应的适用范国：Junetion."Solid-State Eleetron,1.(1960):pp.13-21州于所有公式都是经验公式读是试验结果，因此本标准中金出了公式的试验据以便于使用[5]Fair,R.B.,and Tsai,J.C.C.."A Quantitative Model for the Diffusing of Phospborus in者史好塘了解和使用这经换算规型：Silicon and the Emitter Dip Effect."J.Eleetrochem.Soc.124.(1977):pp.1107-1118增加干优因素（见第6章）：T67 Fair.R.B..and Tsai.J.C.C.."The Diffusion of lon-Implanted Arsenic in Silicon,"J.Elec-增加了附录和参考文就，trochem,5c.122,(1975),1689情崔意本文作的某些肉容可使涉及专利。本文件的发布机钩不承识州这些专利的费任.[7]Blakemore,J.S.,Semiconductor Statistics (Dover Pablications,New York.1987)8 3.3本标有由全国率导体较备和材韩标裤化技术委员会(S/T℃203)和全国半导体设各和材料标净[8]Newman.P.F..Hirsch.M.J..and Holcomb.D.F.."A Calibration Curve for Room-Tem化技术委员会材料分会(5AC/T℃203/SC2)共同提出并出，perature Resistivity versus Donor Atom Concentration in Si:As,"J.Appl.Phys.58.(1985):p.3779木标差起草单位，有新半导体材料殷册有限公司，四川新光业科技有限责任公可，巾国计量科学[9]Masetti.G.,Severi.M..and Solmi."Mndeling of Carrier Mobility Against Farrice研究议，落江省砖韩其爱禁检验中心，杭米等修串导休有限公司，断江金璃江科技殿份有限公可.百安风Concentration in Arsenie-Phosphoru D0网某碰材料爱份和限公间。(1983):764一木妹左主要起年大：孙减，梁情、高英校得、张静，王飞尧，喜我，何良感、张海英，露群社。[107 Fnrukawa.Y.."Impurity Effeet Upon Mobility in Heavily Doped Sibcon."J.Phys.Soc..木标益所代皆标准的历次饭木发布情况为：Japn16,(1961):p.577GB/T13889-1992。[I1]Murots.J..Arai.E..Kobayashi,K.,and Kudo.K.."Relationship Between Totsl Arse-nie and Eleetrically Active Arseric Concentrations in Silicon Produced by the Diffusion Process."J.Appl,Phy%50,(1979):.804[12]Matsumoto.S.,Niimi.T..Murota.J..and Arai.E.."Carrier Concentration and HallMobility in Heavily Arsenic-Diffused Silicon.".Electrochem.Soc.127.(198):p.1650[13]Irvin.J.C.."Resistivity of Bulk Silicon and of Diffused Layers in Silicon."Bell SystemTech.J.41,(1962):pm.387-410理筑素村网Z..ET GB/T13389-2014GB/T13389-2014附爱B掺翻摻磷摻砷硅单晶电阻率与(资料性附录)RVN的比较试验摻杂剂浓度换算规程B11r加报告了300K的N型和P型硅单品电阻米与移染剂浓度间的换算关系（导电类亚的满试为法译见GB/T1550),并且用杂质成度代特擦奈制浓度。1vn的分斯是基于儿个在硅中熊主和受妻的1范国数据，这数招是由1vn在重物种和重神醒样品上补究，品2所有样品露是蟹定投有补偿的，们实际上在直2单品中因为氧的热数活，补德的可健性是公认的。木标准呢定了携围，浅瞬，排种娃单凸电图率与渗杂剂浓度之间的换算关系，该授算关系电适用了B31va对N亚和P显罐单提候的数系的一系列线性近触报合，得到式收1：物储硅单品，还可节展系中意活儒与围，磷相似的其艳排杂扇，P=(1/BN)nman(B.1》术标卷适用于参塑浓度10"cm一1×10”cm1,挎场求度3X109m一1×10c压，渗种浓式巾：度10c四1一6×10*c四，对推罐，参隔的硅单昌棉杂剂旅度可打展到10#cm·。P一电黑率，单位为欲妍厘米(0·cm),木标金收可用于在23℃下从硅单岳电阳率到我流子浓度的换算，们不包折对确推杂剂的载流子浓N,净施主成受主浓度，单位为稀立方厘米(m):度换算，成任何其他袋镜子浓度的铁算，?和B分别是在表B1和表B2中对N型和P重健单品恰出的各种楼杂范围，表BN型硅单品的a和B凳数数值2规菊性引用文件办监表接於州：国下列文件对于术文件的应用是必不可少的。凡是性日别的引用文件，仅注日期的戴木适用于术文件。凡是不注男目崩的引用文件，其最新版木（越搭所有的修政单）适用于木文件。2.5×10"≤N。GB/T1550毒本征半钟体松料导电类醒测试方6X 10"GNC2.x1GBT51单局地阻率测定方法9.5×10"GN6G4×10GB/丁4326◆本征半导体单基和尔近移率阳和尔系数测量方法0.9402×0nGB/T14264半导体材料术语1X100,5436.21×10-430X16GN。≤1×16P0.8376.97×16-43术语和定复N50X1012×10-#GB/T1264举定的以及下列术销和定复适用于本文件，表我2P竖破禁品的a和B常数敏值小自相容性溪差heef-consistency errors办受上推确剂微同B电1*与将杂剂陵崔之间的换算公式或表格，是以其中一个为变量，报合实酸数茶推导出另一个变cm-景，当使州不月的变量时经产生两个互为补充的公式，例如公式(1)和(2)，公式(3)和(4)。山于这生公1,30×10PGN.9,946=4×10-t式在数学上并不完全等价，因此在使川由此推导出来的公式孩表修时将产生链小的差异，该差异称为自2,40X10GNAG1.50×100.8321.47X10-4相客性误差。1,50×104GN.G240X1040,6503,3约×10-t￥.G10×1017.29×104方法视罢B4向在潮品1中给出的是依据实给出的赖算与通过榜杂菊给出的也阻率门的比较。其中的电率与携杂剂依发之间的相互换算是基于接爵，接璃硅单最中再者间的综合经验数献得到的，并尚线是由公式线1得到电园率，道过式(4》政式(2)从挂杂剂被度计算电配米，计算两著确的差异，然后背其扩展到硅中具有相似蛋活健的其他参象剂，根乐扫月的方法包给出了电阻率与载流子浓度的龚算将这共爱异绘山。关系。本标准中将该提算关系表示为公式，自线以及表棉的形式，应用时请得刷注意不同公式的适用他国以及相应的灵差。往1：木标准孩丽，选瞬的袋养数制处基于Thar得的数经，是在(a×16cm一1×16cm)购推磷驻单条和(10”cm一1×1cm)的楼绿日禁恭中获得的，码数影新于形i和Mnha的两个块状样昌数郭，Pa和T4的磷扩慧样品数据敏用了将数是直扩晨列1炉以上，在10炉cm以下增加的成线都理筑素村网Z..ET
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